黄仁勋为何喊话DRAM厂尽管扩产？这背后有何深意？

黄仁勋喊话事件概述

大会上的明确表态

近日，在摩根士丹利科技大会上，英伟达首席执行官黄仁勋向全球存储芯片厂商发出强烈信号，鼓励他们尽管扩产，英伟达会照单全收。他表示芯片供给短缺对英伟达而言是“极好的消息”，资源受限会促使客户更倾向于直接选择性能最强的解决方案，在存储器领域这一趋势尤为明显。

背后的产业逻辑

黄仁勋认为，在数据中心土地、电力、建筑等各类资源均受限的环境下，客户采购决策会更审慎，更愿选择最强方案。这意味着即便DRAM价格因供给紧张而上涨，英伟达仍将维持强劲采购力度，不会因成本压力而缩减备货，为存储厂商提供了明确需求能见度。

英伟达的需求根源

新一代平台需求

业界普遍认为，黄仁勋此番表态的背后，是英伟达即将推出的新一代VeraRubin平台对存储资源的庞大需求。以现有的GB300为例，其支持的高带宽存储器（HBM）容量已高达288GB，进入VeraRubin世代后，HBM容量虽维持288GB，但规格将从HBM3E升级至HBM4。

技术升级带来的影响

HBM4采用16层堆叠设计，较HBM3E的12层堆叠更为复杂，产能自然耗损率也随之提高，单位产出消耗的存储资源将更为庞大，预计将进一步加剧DRAM供给短缺的局面，所以英伟达才急切希望DRAM厂扩产。

DRAM厂现状与前景

三大厂商扩产情况

尽管三星、SK海力士及美光均已启动扩产计划，但业界指出，三大厂商当前扩增的产能主要集中于HBM及企业级DRAM。消费性DRAM的供给短缺问题至少在未来一年内仍难以缓解。

市场价格与盈利展望

与此HBM以及数据中心用LPDDR4、LPDDR5和新一代DDR6的价格，预计将持续走高。供需结构的持续偏紧，为存储芯片厂商的盈利前景提供了支撑。机构看好英伟达持续扩大存储备货、冲刺新世代AI平台商机，将带动其供应链伙伴的订单动能持续升温。

相关问答

黄仁勋为什么要喊话DRAM厂尽管扩产？

因为英伟达即将推出的新一代VeraRubin平台对存储资源需求庞大，HBM4技术升级使单位产出消耗存储资源增加，加剧DRAM供给短缺，所以希望DRAM厂扩产。

DRAM厂目前的扩产计划集中在哪些方面？

三星、SK海力士及美光的扩产计划主要集中于HBM及企业级DRAM，消费性DRAM供给短缺问题至少未来一年内难以缓解。

黄仁勋的表态对DRAM产业有何影响？

被视为对DRAM产业景气的强力背书，为存储厂商提供需求能见度，预计HBM等价格持续走高，带动供应链伙伴订单动能升温。

英伟达新平台的HBM规格有什么变化？

从GB300到VeraRubin世代，HBM容量维持288GB，但规格从HBM3E升级至HBM4，采用16层堆叠设计，更为复杂。

消费性DRAM的短缺局面会持续多久？

至少在未来一年内，消费性DRAM的供给短缺问题仍难以缓解。

存储芯片厂商的盈利前景如何？

由于供需结构持续偏紧，HBM以及数据中心用相关产品价格预计持续走高，存储芯片厂商盈利前景得到支撑。