SK海力士下一代NAND年底前量产，背后有何玄机？

SK海力士下一代NAND闪存进展

生产验证完成

据韩国科技媒体《THEELEC》报道，SK海力士已成功完成下一代V10系列375层3DNAND闪存的生产验证工作。这一关键节点标志着该产品在技术层面已达到可进行大规模生产的标准，为后续的量产奠定了坚实基础。目前，公司正积极推进产线转换相关工作，全力朝着量产目标迈进。

产线升级改造

SK海力士此次并非新建工厂，而是对清州M15工厂的原产线进行升级改造。原产线主要生产176层、238层和321层产品，现在正投入资金将其转变为375层产品生产线。通过这种方式，既能充分利用现有资源，又能快速实现产能提升，可谓是一种高效且经济的策略。

产品规划调整及原因

层数调整

最初规划为400层架构的产品，最终因超高层数堆叠的量产工艺限制，被迫调整为375层。尽管层数有所变化，但这并不影响产品整体的先进性和市场竞争力，后续公司还计划依次推出480层、604层产品，展现出其在闪存技术领域持续探索和创新的决心。

工艺革新

为弥补层数折损带来的影响，375层产品首次在字线金属栅极中以钼（Mo）部分替代传统钨（W）材料。超高层堆叠使得钨基字线电阻激增、信号延迟，且阻挡辅助层占用堆叠空间，而钼具有更低电阻率和无阻挡层的优势，能够有效同步提升NAND闪存的读写性能与存储密度，这一革新将为产品带来更好的性能表现。

技术优势及行业影响

技术优势

同等微缩尺寸下，钼的电阻率远低于传统钨材料，能够大幅降低电路损耗，显著提升芯片数据读写速度。这一优势使得SK海力士的下一代NAND闪存产品在性能上更具竞争力，能够更好地满足市场对于高速存储的需求。

行业影响

三星电子已于2024年4月量产第九代286层V-NAND时，就将钼应用于金属布线环节，且其规划中的第十代400层以上NAND亦将于2026年下半年推出，钼材料的应用范围正持续扩大。SK海力士此次将钼应用于375层NAND闪存量产，进一步推动了钼在半导体行业的应用，有望改变高端半导体金属材料的供需格局与估值体系。

相关问答

SK海力士下一代NAND闪存的生产验证情况如何？

已完成下一代V10系列375层3DNAND闪存的生产验证，达到大规模生产标准，为量产做准备。

SK海力士如何进行产线转换以实现量产？

对清州M15工厂原产线升级改造，将生产176层、238层和321层产品的产线转变为375层产品生产线。

产品层数为何从400层调整为375层？

受超高层数堆叠的量产工艺限制，虽有调整，但后续还有480层、604层产品计划。

375层产品在工艺上有什么革新？

首次在字线金属栅极中以钼部分替代传统钨材料，提升读写性能与存储密度。

钼替代钨有什么好处？

钼电阻率更低，无阻挡层，能降低电路损耗，提升芯片数据读写速度，满足高速存储需求。

SK海力士此举对行业有何影响？

推动钼在半导体行业应用，有望改变高端半导体金属材料供需格局与估值体系。